CSD17556Q5B备选型号: IRFH8303TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 配置
- 通道数量
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-CH 30V 8-VSONACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON34A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD17556Single增强型MOSFET3.1WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING1.4m Ω @ 40A, 10V1.65V @ 250μA7020pF @ 15V39nC @ 4.5V26ns30V±20V12 ns100A1.4V20V34A30V500 mJ1.05mm5mm6mm950μmUnknownROHS3 Compliant含铅----
- MOSFET N-CH 30V 100A PQFN-12 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-43A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™--活跃1 (Unlimited)-EAR99---未说明-未说明---3.7W-21 nsN-Channel-1.1m Ω @ 50A, 10V2.2V @ 150μA7736pF @ 24V179nC @ 10V91ns-±20V65 ns100A1.7V20V43A------无SVHCROHS3 Compliant无铅2013Single130V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH7932TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 | 对比 |
![]() | IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5300TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 40A PQFN | 对比 |






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