Infineon Technologies IRFH8303TRPBF
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IRFH8303TRPBF
1211-IRFH8303TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
--最小包装量--
IRFH8303TRPBF详情
Infineon Technologies IRFH8303TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
43A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.7W Ta 156W Tc
Turn Off Delay Time
48 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
Single
通道数量
1
功率耗散
3.7W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7736pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
179nC @ 10V
上升时间
91ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
65 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
43A
漏源击穿电压
30V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFH8303TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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