CSD17559Q5T备选型号: IRF7739L1TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- ECCN 代码
- 配置
- 功率耗散
- 辐射硬化
- This 30 V, 0.95 m, 56 mm SON NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in synchronous rectification and other power conversion applications.ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD17559Single增强型MOSFETDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING1.15m Ω @ 40A, 10V1.7V @ 250μA9200pF @ 15V51nC @ 4.5V41ns30V±20V14 ns257A20V40A0.0015Ohm400A30V541 mJ113 pF1.05mm5mm6mm1mmROHS3 Compliant含铅-----
- MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8-12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L815-46A Ta 270A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)---活跃1 (Unlimited)------------21 nsN-Channel-1m Ω @ 160A, 10V4V @ 250μA11880pF @ 25V330nC @ 10V71ns40V±20V42 ns270A20V375A---------ROHS3 Compliant无铅2013EAR99Single3.8W无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7739L1TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L8 | MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 | 对比 |
| NVMFS4C01NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | 对比 |




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