ON Semiconductor NVMFS4C01NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Ta 319A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.84W Ta 161W Tc

Turn Off Delay Time

53 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

29 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.9m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10144pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

139nC @ 10V

上升时间

68ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

319A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.00095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

900A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅