CSD17573Q5B备选型号: IRFH8303TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 配置
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD17573
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1m Ω @ 35A, 10V
    1.8V @ 250μA
    9000pF @ 15V
    64nC @ 4.5V
    20ns
    ±20V
    7 ns
    43A
    20V
    30V
    400A
    150°C
    390 pF
    1.05mm
    5mm
    6mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    43A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    1
    -
    -
    3.7W
    -
    21 ns
    N-Channel
    -
    1.1m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 150μA
    7736pF @ 24V
    179nC @ 10V
    91ns
    ±20V
    65 ns
    100A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2013
    Single
    1.7V
    43A
    无SVHC
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