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CSD18531Q5A备选型号: BSC034N06NSATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- 端子表面处理
- 终端形式
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 8SONACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)16 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON19A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL260CSD185311Single增强型MOSFET156WDRAIN4.4 nsN-ChannelSWITCHING4.6m Ω @ 22A, 10V2.3V @ 250μA3840pF @ 30V43nC @ 10V7.8ns±20V2.7 ns100A1.8V20V60V224 mJ175°C1.8 V1.1mm4.9mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON-26 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3-活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUAL未说明---增强型MOSFET2.5WDRAIN-N-ChannelSWITCHING3.4m Ω @ 50A, 10V3.3V @ 41μA3000pF @ 30V41nC @ 10V5ns±20V-100A-20V----------ROHS3 Compliant2012Tin (Sn)FLATnot_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素60V0.0034Ohm400A含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| BSC034N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON | 对比 |
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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