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CSD18531Q5AT备选型号: IRFS7540TRLPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- ECCN 代码
- JESD-30代码
- 通道数量
- 功率耗散
- 阈值电压
- 高度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 60V 100A 8SONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)53.5mOhm雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD18531Single增强型MOSFETDRAIN4.4 nsN-ChannelSWITCHING4.6m Ω @ 22A, 10V2.3V @ 250μA3840pF @ 30V43nC @ 10V7.8ns60V±20V2.7 ns100A20V19A400A60V224 mJ14 pF4.9mm6mm1mmROHS3 Compliant含铅---------
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON110A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™--活跃1 (Unlimited)2---鸥翼未说明-未说明-Single增强型MOSFETDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V76ns60V±20V56 ns110A20V--60V--10.67mm9.65mm-ROHS3 Compliant无铅3.949996g2013EAR99R-PSSO-G21160W3.7V4.83mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
| IRFS3306PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
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