CSD18532Q5B备选型号: AUIRF1010EZS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-30代码
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 23A 8VSONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL无铅260not_compliant未说明CSD185321Single增强型MOSFET3.2WDRAIN5.8 nsN-ChannelSWITCHING3.2m Ω @ 25A, 10V2.2V @ 250μA5070pF @ 30V58nC @ 10V7.2ns±20V3.1 ns23A1.5V20V0.0043Ohm60V400A320 mJ150°C1.05mm5mm6mm950μm无SVHCROHS3 Compliant含铅---
- MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK-16 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL鸥翼260-30--Single增强型MOSFET140WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING8.5m Ω @ 51A, 10V4V @ 250μA2810pF @ 25V86nC @ 10V90ns±20V54 ns75A2V20V0.0085Ohm60V---4.83mm10.67mm9.65mm-无SVHCROHS3 Compliant-2010R-PDSO-G2无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRF1010EZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 对比 |
| NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL | 对比 |




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