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首页 全部分类 CSD18532Q5B vs NVMFS5C670NLT1G

CSD18532Q5B备选型号: NVMFS5C670NLT1G

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Texas Instruments
    CSD18532Q5B
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD18532
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    5.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 25A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5070pF @ 30V
    58nC @ 10V
    7.2ns
    ±20V
    3.1 ns
    23A
    1.5V
    20V
    0.0043Ohm
    60V
    400A
    320 mJ
    150°C
    1.05mm
    5mm
    6mm
    950μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C670NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
    38 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A Ta 71A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    5
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    -
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    4 ns
    71A
    2V
    20V
    -
    -
    440A
    166 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2015
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    60V
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