CSD18533KCS备选型号: AUIRF1010Z
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 高度
- 宽度
- 长度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 达到SVHC
- 无铅
- 已出版
- 终端形式
- JESD-30代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 100A TO220-36 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 day ago)TinTO-220-3通孔通孔3SILICON72A Ta 100A TcNexFET™Tube-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE未说明not_compliant未说明CSD18533Single增强型MOSFET160WDRAIN5.7 nsN-ChannelSWITCHING6.3m Ω @ 75A, 10V2.3V @ 250μA3025pF @ 30V34nC @ 10V4.8ns60V±20V3.2 ns100A1.9V20V0.009Ohm60V1.9 V4.7mm8.7mm10.16mm4.58mmROHS3 Compliant无SVHC无铅------
- INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V16 Weeks-TinTO-220-3通孔通孔3SILICON75A TcHEXFET®Tube-55°C~175°C TJe3-活跃1 (Unlimited)2EAR99-260-30-Single增强型MOSFET140WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA2840pF @ 25V95nC @ 10V150ns--92 ns94A2V20V0.0075Ohm--16.51mm4.826mm10.668mm-ROHS3 Compliant无SVHC-2010鸥翼R-PSSO-G275A55V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRF1010Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V | 对比 |
| FDP5800 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 | 对比 | |
![]() | IPP057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |





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