Texas Instruments CSD18533KCS

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

72A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 250μA

Turn Off Delay Time

13 ns

Power Dissipation (Max)

192W Tc

Number of Elements

1

系列

NexFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD18533

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3m Ω @ 75A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3025pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

4.8ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.2 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.009Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

栅源电压

1.9 V

高度

4.7mm

宽度

8.7mm

长度

10.16mm

器件厚度

4.58mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant

无铅

无铅