您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD18534Q5AT vs NVMFS5C670NLT1G

CSD18534Q5AT备选型号: NVMFS5C670NLT1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CSD18534Q5AT
    Texas Instruments
    This 7.8 m, 60 V, SON 56 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    50A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD18534
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.8m Ω @ 14A, 10V
    2.3V @ 250μA
    1770pF @ 30V
    11.1nC @ 4.5V
    5.5ns
    60V
    ±20V
    2 ns
    69A
    20V
    13A
    0.0124Ohm
    229A
    60V
    6.5 pF
    4.9mm
    6mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C670NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
    38 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A Ta 71A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    5
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    -
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60ns
    60V
    ±20V
    4 ns
    71A
    20V
    -
    -
    440A
    60V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2015
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2V
    166 mJ
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 对比
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8 对比
NVMFS5C670NLT1G NVMFS5C670NLT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL 对比