CSD18536KTT备选型号: IRFS3006PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 60V, N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA3SILICON200A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃2 (1 Year)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼260not_compliant未说明CSD18536Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.6m Ω @ 100A, 10V2.2V @ 250μA11430pF @ 30V140nC @ 10V60V±20V200A0.0022Ohm400A60V819 mJ51 pF4.83mm10.18mm8.41mm4.44mmROHS3 Compliant含铅-----------
- MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-鸥翼260-30-Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 170A, 10V4V @ 250μA8970pF @ 50V300nC @ 10V-±20V270A0.0025Ohm----4.826mm10.668mm9.65mm-ROHS3 Compliant无铅2008R-PSSO-G2375W16 ns182ns189 ns4V20V60V无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB029N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
![]() | IRFS3206PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
![]() | IRFS3006PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK | 对比 |





哦! 它是空的。