Texas Instruments CSD18536KTT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

375W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD18536

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11430pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200A

漏极-源极导通最大电阻

0.0022Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

819 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

51 pF

高度

4.83mm

长度

10.18mm

宽度

8.41mm

器件厚度

4.44mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅