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首页 全部分类 CSD18537NQ5AT vs BSC097N06NSATMA1

CSD18537NQ5AT备选型号: BSC097N06NSATMA1

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  • 终端形式
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Texas Instruments
    CSD18537NQ5AT
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD18537NQ5ATMOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    50A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD18537
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 12A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1480pF @ 30V
    18nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3.2 ns
    50A
    3V
    20V
    60V
    55 mJ
    5.2 pF
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC097N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
    -
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 40A, 10V
    3.3V @ 14μA
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    -
    46A
    2.8V
    20V
    -
    13 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2005
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    60V
    12A
    0.0097Ohm
  • 添加型号
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