CSD18537NQ5AT备选型号: IRFR7746TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 端子表面处理
- 漏源电压 (Vdss)
- TEXAS INSTRUMENTS CSD18537NQ5ATMOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 VACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON50A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD185371Single增强型MOSFETDRAIN5.8 nsN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 250μA1480pF @ 30V18nC @ 10V4ns±20V3.2 ns50A3V20V60V55 mJ5.2 pF1.1mm4.9mm6mm1mm无SVHCROHS3 Compliant含铅----
- MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3-活跃1 (Unlimited)-EAR99---未说明not_compliant未说明-1Single--7.9 nsN-Channel-11.2m Ω @ 35A, 10V3.7V @ 100μA3107pF @ 25V89nC @ 10V30ns±20V21 ns56A3.7V20V---2.39mm6.73mm6.22mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅3.949996g2004Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier75V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | 对比 |
![]() | IRFR7746TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK | 对比 |
![]() | BSC097N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 | 对比 |






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