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首页 全部分类 CSD19503KCS vs IPP100N08N3GXKSA1

CSD19503KCS备选型号: IPP100N08N3GXKSA1

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD19503KCS
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    6.000006g
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    未说明
    not_compliant
    未说明
    CSD19503
    1
    Single
    增强型MOSFET
    188W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.2m Ω @ 60A, 10V
    3.4V @ 250μA
    2730pF @ 40V
    36nC @ 10V
    3ns
    80V
    ±20V
    2 ns
    100A
    2.8V
    20V
    94A
    247A
    80V
    4.7mm
    10.16mm
    8.7mm
    4.58mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N08N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    13 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    100W
    -
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 46A, 10V
    3.5V @ 46μA
    2410pF @ 40V
    35nC @ 10V
    46ns
    -
    ±20V
    5 ns
    70A
    -
    20V
    -
    280A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2006
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    TO-220AB
    80V
    90 mJ
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