Texas Instruments CSD19503KCS

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Turn Off Delay Time

11 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

188W Tc

Number of Elements

1

系列

NexFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19503

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

188W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.2m Ω @ 60A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2730pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

94A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

247A

DS 击穿电压-最小值

80V

高度

4.7mm

宽度

8.7mm

长度

10.16mm

器件厚度

4.58mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅