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首页 全部分类 CSD19537Q3T vs BSC109N10NS3GATMA1

CSD19537Q3T备选型号: BSC109N10NS3GATMA1

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  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • Texas Instruments
    CSD19537Q3T
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    50A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    12.1mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    CSD19537
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.5m Ω @ 10A, 10V
    3.6V @ 250μA
    1680pF @ 50V
    21nC @ 10V
    3ns
    100V
    ±20V
    3 ns
    50A
    3V
    20V
    9.7A
    219A
    100V
    55 mJ
    17.3 pF
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC109N10NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP
    -
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    63A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.9m Ω @ 46A, 10V
    3.5V @ 45μA
    2500pF @ 50V
    35nC @ 10V
    7ns
    -
    ±20V
    5 ns
    63A
    2.7V
    20V
    -
    252A
    -
    70 mJ
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2011
    EAR99
    未说明
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    78W
    无卤素
    100V
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