Texas Instruments CSD19537Q3T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 83W Tc

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

电阻

12.1mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

CSD19537

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.5m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

50A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.7A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

219A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

17.3 pF

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅