CSD19537Q3T备选型号: IRFR4510PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- ECCN 代码
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- JEDEC-95代码
- 栅源电压
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 50A 8VSONACTIVE (Last Updated: 5 days ago)6 WeeksCopper, Tin表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON50A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)512.1mOhmMatte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL无铅not_compliantCSD19537SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN5 nsN-ChannelSWITCHING14.5m Ω @ 10A, 10V3.6V @ 250μA1680pF @ 50V21nC @ 10V3ns100V±20V3 ns50A3V20V9.7A219A100V55 mJ17.3 pF3.3mm3.3mm1mm无SVHCROHS3 Compliant含铅---------
- MOSFET N CH 100V 56A DPAK---表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3-Discontinued1 (Unlimited)2-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier--鸥翼---增强型MOSFETDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING13.9m Ω @ 38A, 10V4V @ 100μA3031pF @ 50V81nC @ 10V42ns100V±20V34 ns56A3V20V-252A---6.73mm6.22mm-无SVHCROHS3 Compliant-2012EAR99R-PSSO-G2Single143WTO-252AA3 V2.39mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
![]() | IRFR4510TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 100V 56A DPAK | 对比 |
![]() | IRFR4510PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 100V 56A DPAK | 对比 |





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