CSD19537Q3T备选型号: IRFR4510PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • JEDEC-95代码
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    50A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    12.1mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    CSD19537
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.5m Ω @ 10A, 10V
    3.6V @ 250μA
    1680pF @ 50V
    21nC @ 10V
    3ns
    100V
    ±20V
    3 ns
    50A
    3V
    20V
    9.7A
    219A
    100V
    55 mJ
    17.3 pF
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 56A DPAK
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.9m Ω @ 38A, 10V
    4V @ 100μA
    3031pF @ 50V
    81nC @ 10V
    42ns
    100V
    ±20V
    34 ns
    56A
    3V
    20V
    -
    252A
    -
    -
    -
    6.73mm
    6.22mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    2012
    EAR99
    R-PSSO-G2
    Single
    143W
    TO-252AA
    3 V
    2.39mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP 对比
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N CH 100V 56A DPAK 对比
IRFR4510PBF IRFR4510PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N CH 100V 56A DPAK 对比