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首页 全部分类 CSD19538Q2T vs IRF7665S2TRPBF

CSD19538Q2T备选型号: IRF7665S2TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD19538Q2T
    Texas Instruments
    MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    13.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    CSD19538
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    59m Ω @ 5A, 10V
    3.8V @ 250μA
    454pF @ 50V
    5.6nC @ 10V
    100V
    ±20V
    13.1A
    3.2V
    0.072Ohm
    34.4A
    100V
    8 mJ
    2mm
    2mm
    750μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7665S2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SB
    3
    SILICON
    4.1A Ta 14.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    -
    BOTTOM
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    62m Ω @ 8.9A, 10V
    5V @ 25μA
    515pF @ 25V
    13nC @ 10V
    -
    ±20V
    14.4A
    4V
    0.062Ohm
    58A
    -
    -
    4.826mm
    3.9624mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    2009
    EAR99
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30W
    3.8 ns
    6.4ns
    3.6 ns
    20V
    100V
    4 V
    508μm
    无
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