Texas Instruments CSD19538Q2T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 20.2W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

基本部件号

CSD19538

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

59m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

454pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

13.1A

阈值电压

3.2V

漏极-源极导通最大电阻

0.072Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34.4A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

8 mJ

长度

2mm

宽度

2mm

器件厚度

750μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅