CSD19538Q3AT备选型号: FQD19N10TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 已出版
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 额定电流
- JESD-30代码
- 资历状况
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- MOSFET N-CH 100V 15A VSONPACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON15A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUALFLAT260未说明CSD19538Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING59m Ω @ 5A, 10V3.8V @ 250μA454pF @ 50V4.3nC @ 10V100V±20V15A3.2V4.9A0.072Ohm37A100V16.4 pF3.3mm3.3mm800μm无SVHCROHS3 Compliant无铅------------------
- Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON15.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2---鸥翼未说明未说明-Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 7.8A, 10V4V @ 250μA780pF @ 25V25nC @ 10V-±25V15.6A4V--62.4A--6.6mm6.1mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅Tin260.37mg2000EAR99100MOhm100Vnot_compliant15.6AR-PSSO-G2不合格2.5W7.5 ns150ns65 ns25V100V220 mJ2.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SH | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET | 对比 |
![]() | IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 对比 |
![]() | IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |







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