CSD23280F3备选型号: DMP1096UCB4-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, No Lead
    3
    SILICON
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FemtoFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    CSD23280
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    116m Ω @ 400mA, 4.5V
    0.95V @ 250μA
    234pF @ 6V
    1.23nC @ 4.5V
    12V
    -6V
    1.8A
    0.25Ohm
    11.4A
    12V
    11.1 pF
    690μm
    600μm
    345μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
    -
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, WLBGA
    4
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    BOTTOM
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    102m Ω @ 500mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    251pF @ 6V
    3.7nC @ 4.5V
    12V
    -
    2.6A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2012
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY
    BALL
    260
    40
    4
    1
    17.6 ns
    26.9ns
    32.3 ns
    -5V
    -12V
    无SVHC
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