Diodes Incorporated DMP1096UCB4-7
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DMP1096UCB4-7
671-DMP1096UCB4-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-UFBGA, WLBGA
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MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K
--最小包装量--
DMP1096UCB4-7详情
Diodes Incorporated DMP1096UCB4-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-UFBGA, WLBGA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
820mW Ta
Turn Off Delay Time
37.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2012
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
17.6 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
102m Ω @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
251pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.7nC @ 4.5V
上升时间
26.9ns
漏源电压 (Vdss)
12V
下降时间(典型值)
32.3 ns
连续放电电流(ID)
2.6A
栅极至源极电压(Vgs)
-5V
漏源击穿电压
-12V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP1096UCB4-7拓展信息
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