DMP1096UCB4-7
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Diodes Incorporated DMP1096UCB4-7

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型号

DMP1096UCB4-7

utmel 编号

671-DMP1096UCB4-7

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

4-UFBGA, WLBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K

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DMP1096UCB4-7
DMP1096UCB4-7 Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4,3K

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DMP1096UCB4-7详情

Diodes Incorporated DMP1096UCB4-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-UFBGA, WLBGA

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    2.6A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    820mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    37.5 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    4

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    17.6 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    102m Ω @ 500mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    251pF @ 6V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.7nC @ 4.5V

  • 上升时间

    26.9ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • 下降时间(典型值)

    32.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -5V

  • 漏源击穿电压

    -12V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

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