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首页 全部分类 CSD25201W15 vs DMP2100U-7

CSD25201W15备选型号: DMP2100U-7

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • Vgs（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD25201W15
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
    表面贴装
    表面贴装
    9-UFBGA, DSBGA
    9
    SILICON
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    9
    BOTTOM
    BALL
    未说明
    未说明
    CSD25201
    9
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    9.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 2A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    510pF @ 10V
    5.6nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    38 ns
    4A
    -700mV
    -6V
    4A
    0.07Ohm
    -20V
    -700 mV
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2100U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    80 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 3.5A, 10V
    1.4V @ 250μA
    216pF @ 15V
    9.1nC @ 4.5V
    155ns
    20V
    423 ns
    4.3A
    -1.4V
    10V
    -
    -
    -20V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    5 Weeks
    7.994566mg
    2012
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1
    ±10V
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
    无
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