Texas Instruments CSD25201W15

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

9-UFBGA, DSBGA

引脚数

9

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD25201

引脚数量

9

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.6nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

4A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

-6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

-20V

栅源电压

-700 mV

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅