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首页 全部分类 CSD25201W15 vs IRLHS6276TRPBF

CSD25201W15备选型号: IRLHS6276TRPBF

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  • 无铅
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD25201W15
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
    表面贴装
    表面贴装
    9-UFBGA, DSBGA
    9
    SILICON
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    9
    BOTTOM
    BALL
    未说明
    未说明
    CSD25201
    9
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    9.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 2A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    510pF @ 10V
    5.6nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    38 ns
    4A
    -700mV
    -6V
    4A
    0.07Ohm
    -20V
    -700 mV
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS6276TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-VQFN
    6
    SILICON
    10 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    260
    30
    IRLHS6276PBF
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    4.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 3.4A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    310pF @ 10V
    3.1nC @ 4.5V
    9.3ns
    20V
    4.9 ns
    4.5A
    -
    12V
    3.4A
    -
    20V
    800 mV
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2011
    e3
    EAR99
    45MOhm
    Matte Tin (Sn)
    1.5W
    DRAIN
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
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