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首页 全部分类 CSD25213W10 vs FDN327N

CSD25213W10备选型号: FDN327N

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  • 终止次数
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 晶体管应用
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD25213W10
    Texas Instruments
    Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    20 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    CSD25213
    1
    Single
    -0.85
    1W
    510 ns
    P-Channel
    47m Ω @ 1A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    478pF @ 10V
    2.9nC @ 4.5V
    520ns
    20V
    970 ns
    -1.6A
    -6V
    -20V
    150°C
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN327N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    6 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    423pF @ 10V
    6.3nC @ 4.5V
    6.5ns
    -
    6.5 ns
    2A
    8V
    20V
    150°C
    1.22mm
    2.92mm
    1.4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    30mg
    SILICON
    2017
    3
    70MOhm
    20V
    2A
    SWITCHING
    ±8V
    700mV
    2A
    700 mV
    无SVHC
    无
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