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首页 全部分类 CSD25304W1015T vs NTR3C21NZT1G

CSD25304W1015T备选型号: NTR3C21NZT1G

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
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  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Texas Instruments
    CSD25304W1015T
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD25304W1015TMOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -800 mV
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, DSBGA
    6
    6-DSBGA
    1.700971mg
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    CSD25304
    1
    Single
    6 ns
    P-Channel
    32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
    1.15V @ 250μA
    595pF @ 10V
    4.4nC @ 4.5V
    4ns
    20V
    ±8V
    10 ns
    3A
    -800mV
    8V
    -20V
    595pF
    92mOhm
    32.5 mΩ
    1mm
    1.5mm
    1.8mm
    2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTR3C21NZT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    -
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    7 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1540pF @ 16V
    17.8nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    ±8V
    4.67 μs
    3.6A
    -
    8V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    2015
    e3
    yes
    3
    超低电阻
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.024Ohm
    20V
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NTR3C21NZT1G NTR3C21NZT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN 对比