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1

￥11.103442
10

￥10.474942
100

￥9.882023
500

￥9.322666
1000

￥8.794963

Texas Instruments CSD25304W1015T

Name: CSD25304W1015T
Brand: Texas Instruments
SKU: 2502-CSD25304W1015T
Price: 11.1 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CSD25304W1015T

品牌

Texas Instruments

utmel 编号

2502-CSD25304W1015T

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

6-UFBGA, DSBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TEXAS INSTRUMENTS CSD25304W1015TMOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -800 mV

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CSD25304W1015T Texas Instruments TEXAS INSTRUMENTS CSD25304W1015TMOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -20 V, 0.027 ohm, -4.5 V, -800 mV

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Texas Instruments CSD25304W1015T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间

6 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-UFBGA, DSBGA
引脚数

6
供应商器件包装

6-DSBGA
质量

1.700971mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)

750mW Ta
Turn Off Delay Time

24 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

NexFET™
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
基本部件号

CSD25304
通道数量

1
元素配置

Single
接通延迟时间

6 ns
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.15V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

595pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.4nC @ 4.5V
上升时间

4ns
漏源电压 (Vdss)

20V
Vgs（最大值）

±8V
下降时间（典型值）

10 ns
连续放电电流(ID)

3A
阈值电压

-800mV
栅极至源极电压(Vgs)

8V
漏源击穿电压

-20V
输入电容

595pF
漏源电阻

92mOhm
最大rds

32.5 mΩ
高度

1mm
长度

1.5mm
宽度

1.8mm
器件厚度

2mm
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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CSD25304W1015T拓展信息

热销零件