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CSD25402Q3A备选型号: NTD85N02RT4G
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin VSONP EP T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON76A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT260未说明CSD254021Single增强型MOSFET2.8WSOURCE10 nsP-ChannelSWITCHING8.9m Ω @ 10A, 4.5V1.15V @ 250μA1790pF @ 10V9.7nC @ 4.5V7ns20V±12V12 ns-76A-900mV12V35A-20V150°C900μm3.3mm3.3mm800μm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 24V 12A DPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634SILICON12A Ta 85A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼26040--Single增强型MOSFET2.4WDRAIN-N-ChannelSWITCHING5.2m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA2050pF @ 20V17.7nC @ 5V77ns-±20V12 ns85A-20V-24V------符合RoHS标准无铅2007Tin (Sn)24V85A4R-PSSO-G2不合格0.0052Ohm85 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD78N03T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK | 对比 |
 | NTB75N03RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
| NTD85N02RT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK | 对比 |
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