Texas Instruments CSD25402Q3A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

76A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 69W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD25402

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.9m Ω @ 10A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.15V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1790pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.7nC @ 4.5V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

-76A

阈值电压

-900mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏源击穿电压

-20V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

900μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

800μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅