CSD25484F4备选型号: DMC2038LVT-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 已出版
- JESD-609代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- CSD25484F4 20V P-Channel FemtoFET? MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON2.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FemtoFET™yes活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOM无铅CSD254843Single增强型MOSFETDRAIN9.5 nsP-ChannelSWITCHING94m Ω @ 500mA, 8V1.2V @ 250μA230pF @ 10V1.42nC @ 4.5V5ns20V-12V8.5 ns2.5A12V0.18Ohm20V7.2 pF1.035mm635μm200μmROHS3 Compliant无铅-------------------
- MOSFET N/P-CH 20V TSOT26--表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON3.7A 2.6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-yes不用于新设计1 (Unlimited)6EAR99DUAL鸥翼DMC20386-增强型MOSFET-11 nsN and P-ChannelSWITCHING35m Ω @ 4A, 4.5V1V @ 250μA530pF @ 10V17nC @ 10V----2.6A12V--100 pF2.95mm1.65mm-ROHS3 Compliant无铅Gold2013e374mOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY800mW26040800mWN-CHANNEL AND P-CHANNEL4.5A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTR4501NT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | 对比 | |
![]() | DMC2038LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 | 对比 |
![]() | DMP2215L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3 | 对比 |





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