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首页 全部分类 CSD25484F4 vs NTR4501NT3G

CSD25484F4备选型号: NTR4501NT3G

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • Texas Instruments
    CSD25484F4
    Texas Instruments
    CSD25484F4 20V P-Channel FemtoFET? MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    2.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FemtoFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    CSD25484
    3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    94m Ω @ 500mA, 8V
    1.2V @ 250μA
    230pF @ 10V
    1.42nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    -12V
    8.5 ns
    2.5A
    12V
    0.18Ohm
    20V
    7.2 pF
    1.035mm
    635μm
    200μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTR4501NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    200pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    12ns
    -
    ±12V
    12 ns
    3.2A
    12V
    0.08Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2008
    e3
    Tin (Sn)
    20V
    260
    3.2A
    40
    不合格
    1.25W
    20V
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