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首页 全部分类 CSD25484F4T vs NSTR4501NT1G

CSD25484F4T备选型号: NSTR4501NT1G

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  • 端子位置
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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 参考标准
  • 配置
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD25484F4T
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    2.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FemtoFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    无铅
    CSD25484
    3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    94m Ω @ 500mA, 8V
    1.2V @ 250μA
    230pF @ 10V
    1.42nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    -12V
    8.5 ns
    2.5A
    12V
    0.18Ohm
    20V
    7.2 pF
    1.035mm
    635μm
    200μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSTR4501NT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    3.2A Ta
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    6.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    200pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    -
    3 ns
    3.2A
    12V
    0.08Ohm
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    2008
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    1.25W
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    10A
    无
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