ON Semiconductor NSTR4501NT1G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Ta

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

12 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1.25W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 3.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

3.2A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

DS 击穿电压-最小值

20V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准