CSD86350Q5D备选型号: IRFH5255TR2PBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出电压
- 输入电压-Nom
- 模拟 IC - 其他类型
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 输入电压(最大)
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 控制技术
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 供应电流-最大值(Isup)
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 切换器配置
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 开关频率-最大值
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 WeeksGold, Tin表面贴装表面贴装8-PowerLDFN824 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)9EAR99Matte Tin (Sn)13W26011.27mmCSD8635091.3V12V开关稳压器Dual13W9 ns2 N-Channel (Half Bridge)22V6m Ω @ 20A, 8V2.1V @ 250μA脉宽调制1870pF @ 12.5V10.7nC @ 4.5V23ns40mA25V21 nsBUCK40A1.4V8V1500kHz25V逻辑电平门1.3 V1.5mm5mm6mm1.5mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅--------
- MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN---表面贴装表面贴装8-PowerVDFN815A Ta 51A Tc-Cut Tape (CT)HEXFET®--Obsolete1 (Unlimited)---3.6W---------26W7.9 nsN-Channel-6mOhm @ 15A, 10V2.35V @ 25μA-988pF @ 13V14.5nC @ 10V10.7ns-25V3.8 ns-51A1.8V20V-25V-1.8 V838.2μm5.9944mm5mm-无SVHC无符合RoHS标准-8-PQFN (5x6)2013150°C-55°C988pF17 ns10.9mOhm6 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7578 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 17A POWER56 | 对比 | |
![]() | IRFH5255TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN | 对比 |
| FDMC8588DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8588DC MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.2 V | 对比 |




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