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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.106828
10
¥10.478139
100
¥9.885035
500
¥9.32551
1000
¥8.797649
ON Semiconductor FDMS7578
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FDMS7578
1807-FDMS7578
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 25V 17A POWER56
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMS7578详情
ON Semiconductor FDMS7578重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
74mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Ta 28A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 33W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
33W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.8m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1625pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
2.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.2 ns
连续放电电流(ID)
28A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
63A
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级(Eas)
40 mJ
栅源电压
1.6 V
高度
1.05mm
长度
5mm
宽度
6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS7578拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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