CSD87312Q3E备选型号: BSC0923NDIATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSONACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON2-55°C~150°C TJCut Tape (CT)NexFET™e4yes活跃1 (Unlimited)7EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE2.5W无铅260not_compliant未说明CSD87312Dual增强型MOSFET2.5W7.8 ns2 N-Channel (Dual) Common SourceSWITCHING33m Ω @ 7A , 8V1.3V @ 250μA1250pF @ 15V8.2nC @ 4.5V16ns30V2.8 ns27A10V30V45AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门16 pF3.3mm3.3mm900μmROHS3 Compliant含铅-
- Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R-18 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-17A 32A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3no活跃1 (Unlimited)-EAR99-1W-未说明not_compliant未说明---2.5W-2 N-Channel (Dual) Asymmetrical-5m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1160pF @ 15V10nC @ 4.5V-30V-32A20V---Logic Level Gate, 4.5V Drive----ROHS3 Compliant-2013
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS3660S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET | 对比 | |
| FDMS3622S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET | 对比 | |
![]() | BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | 对比 |




哦! 它是空的。