Texas Instruments CSD87312Q3E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

最大功率耗散

2.5W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD87312

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Source

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 7A , 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1250pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 4.5V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

27A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

16 pF

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

900μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅