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首页 全部分类 CSD87330Q3D vs BSC020N03MSGATMA1

CSD87330Q3D备选型号: BSC020N03MSGATMA1

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 无铅
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD87330Q3D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    9.1 ns
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    6W
    260
    1
    0.65mm
    CSD87330
    8
    1
    90 %
    可调式
    15A
    12V
    开关控制器
    Dual
    6W
    1.2V
    2 N-Channel (Half Bridge)
    27V
    2.1V @ 250μA
    900pF @ 15V
    5.8nC @ 4.5V
    7.5ns
    20mA
    30V
    1.6 ns
    PUSH-PULL
    20A
    1V
    1.15V
    30V
    逻辑电平门
    1.5mm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC020N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON
    -
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    25A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    未说明
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    96W
    -
    N-Channel
    -
    2V @ 250μA
    9600pF @ 15V
    124nC @ 10V
    14ns
    -
    -
    -
    -
    25A
    -
    16V
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    2010
    雪崩 额定
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    ±20V
    30V
    0.0025Ohm
    400A
    200 mJ
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