CSD87330Q3D
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Texas Instruments CSD87330Q3D

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型号

CSD87330Q3D

utmel 编号

2502-CSD87330Q3D

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerLDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

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CSD87330Q3D
CSD87330Q3D Texas Instruments MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

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CSD87330Q3D详情

Texas Instruments CSD87330Q3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Gold

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerLDFN

  • 引脚数

    8

  • Turn Off Delay Time

    9.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    6W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65mm

  • 基本部件号

    CSD87330

  • 引脚数量

    8

  • 输出的数量

    1

  • 效率

    90 %

  • 输出类型

    可调式

  • 最大输出电流

    15A

  • 输入电压-Nom

    12V

  • 模拟 IC - 其他类型

    开关控制器

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    6W

  • 最大输出电压

    1.2V

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • 最大输入电压

    27V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    900pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5.8nC @ 4.5V

  • 上升时间

    7.5ns

  • 供应电流-最大值(Isup)

    20mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    1.6 ns

  • 切换器配置

    PUSH-PULL

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    1.15V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    1.5mm

  • 长度

    3.3mm

  • 宽度

    3.3mm

  • 器件厚度

    1.5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

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