Texas Instruments CSD87330Q3D
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CSD87330Q3D
2502-CSD87330Q3D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerLDFN
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MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
--最小包装量--
CSD87330Q3D详情
Texas Instruments CSD87330Q3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerLDFN
引脚数
8
Turn Off Delay Time
9.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
6W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65mm
基本部件号
CSD87330
引脚数量
8
输出的数量
1
效率
90 %
输出类型
可调式
最大输出电流
15A
输入电压-Nom
12V
模拟 IC - 其他类型
开关控制器
元素配置
Dual
功率耗散
6W
最大输出电压
1.2V
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
最大输入电压
27V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.8nC @ 4.5V
上升时间
7.5ns
供应电流-最大值(Isup)
20mA
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
1.6 ns
切换器配置
PUSH-PULL
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
1.15V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
器件厚度
1.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
CSD87330Q3D拓展信息
Texas Instruments
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