您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD87330Q3D vs IRF8788TRPBF

CSD87330Q3D备选型号: IRF8788TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 效率
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 输入电压-Nom
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大输出电压
  • 场效应管类型
  • 最大输入电压
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 供应电流-最大值(Isup)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 切换器配置
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 栅源电压
  • Texas Instruments
    CSD87330Q3D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    9.1 ns
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    6W
    260
    1
    0.65mm
    CSD87330
    8
    1
    90 %
    可调式
    15A
    12V
    开关控制器
    Dual
    6W
    1.2V
    2 N-Channel (Half Bridge)
    27V
    2.1V @ 250μA
    900pF @ 15V
    5.8nC @ 4.5V
    7.5ns
    20mA
    30V
    1.6 ns
    PUSH-PULL
    20A
    1V
    1.15V
    30V
    逻辑电平门
    1.5mm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8788TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    -
    N-Channel
    -
    2.35V @ 100μA
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    -
    -
    11 ns
    -
    24A
    -
    20V
    30V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    2.8MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    23 ns
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    ±20V
    1.8 V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON 对比
FDD6630A FDD6630A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R 对比
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO 对比