CSD87333Q3D备选型号: IRLHS6342TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入电压-Nom
- 通道数量
- 模拟 IC - 其他类型
- 场效应管类型
- 输出电流-最大值
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 控制技术
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 切换器配置
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 开关频率-最大值
- 场效应管特性
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 端子位置
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SONACTIVE (Last Updated: 5 days ago)12 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8125°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)6W无铅26010.65mmnot_compliant未说明CSD8733312V2开关控制器2 N-Channel (Dual) Asymmetrical40A14.3m Ω @ 4A, 8V1.2V @ 250μAPWM662pF @ 15V4.6nC @ 4.5V3.9ns30V2.2 nsBUCK-BOOST15A950mV10V1500kHzLogic Level Gate, 5V Drive3.3mm1.05mm3.3mm900μm无SVHCROHS3 Compliant含铅---------------
- MOSFET N-CH 30V 8.7A 2X2 PQFN-12 Weeks-表面贴装表面贴装6-PowerVDFN6-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)-----------N-Channel-15.5m Ω @ 8.5A, 4.5V1.1V @ 10μA-1019pF @ 25V11nC @ 4.5V13ns-13 ns-8.7A-12V--2.1mm-2.1mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅SILICON8.7A Ta 19A Tc2011DUALSingle增强型MOSFET2.1WDRAIN4.9 nsSWITCHING±12V30V1.1 V950μm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerVDFN | INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
![]() | IRLHS6342TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 8.7A 2X2 PQFN | 对比 |
| TPCA8065-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOP | 对比 |




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