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首页 全部分类 CSD87333Q3D vs TPCA8065-H,LQ(S

CSD87333Q3D备选型号: TPCA8065-H,LQ(S

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 输入电压-Nom
  • 通道数量
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 场效应管类型
  • 输出电流-最大值
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 控制技术
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 切换器配置
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 开关频率-最大值
  • 场效应管特性
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • Vgs（最大值）
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87333Q3D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    6W
    无铅
    260
    1
    0.65mm
    not_compliant
    未说明
    CSD87333
    12V
    2
    开关控制器
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    40A
    14.3m Ω @ 4A, 8V
    1.2V @ 250μA
    PWM
    662pF @ 15V
    4.6nC @ 4.5V
    3.9ns
    30V
    2.2 ns
    BUCK-BOOST
    15A
    950mV
    10V
    1500kHz
    Logic Level Gate, 5V Drive
    3.3mm
    1.05mm
    3.3mm
    900μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TPCA8065-H,LQ(S
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOP
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    U-MOSVII-H
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    11.4mOhm @ 8A, 10V
    2.3V @ 200μA
    -
    1600pF @ 10V
    20nC @ 10V
    2.2ns
    30V
    2.3 ns
    -
    16A
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    8-SOP Advance (5x5)
    16A Ta
    2009
    150°C
    -55°C
    ±20V
    1.6nF
    11.4 mΩ
    无
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