CSD87335Q3D备选型号: RSR025N03TL
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- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 功能数量
- 端子间距
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 输入电压-Nom
- 模拟 IC - 其他类型
- 场效应管类型
- 输入电压(最大)
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 控制技术
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 供应电流-最大值(Isup)
- 漏源电压 (Vdss)
- 切换器配置
- 开关频率-最大值
- 场效应管特性
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 上升时间
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- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V POWERBLOCKACTIVE (Last Updated: 6 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerLDFN8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)6W无铅10.65mmnot_compliantCSD8733512V开关控制器2 N-Channel (Dual) Asymmetrical27V1.9V @ 250μA脉宽调制1050pF @ 15V7.4nC @ 4.5V20mA30VBUCK1500kHzStandard3.3mm3.3mm1.5mmROHS3 Compliant含铅---------------------------
- MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3-20 Weeks表面贴装表面贴装SC-963150°C TJTape & Reel (TR)-e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99--鸥翼------N-Channel-2.5V @ 1mA-165pF @ 10V4.1nC @ 5V--------ROHS3 Compliant无铅SILICON2.5A Ta2006SMD/SMT118MOhm30VDUAL2602.5A103Single增强型MOSFET1W6 nsSWITCHING70m Ω @ 2.5A, 10V10ns5 ns2.5A2.5V20V30V30V2.5 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
| RSR025N03TL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-96 | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 | 对比 | |
![]() | IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |




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