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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.841273
10
¥14.944594
100
¥14.098679
500
¥13.300638
1000
¥12.547774
Texas Instruments CSD87335Q3D
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- 对比
CSD87335Q3D
2502-CSD87335Q3D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerLDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CSD87335Q3D详情
Texas Instruments CSD87335Q3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerLDFN
引脚数
8
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
6W
终端形式
无铅
功能数量
1
端子间距
0.65mm
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
CSD87335
输入电压-Nom
12V
模拟 IC - 其他类型
开关控制器
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
输入电压(最大)
27V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250μA
控制技术
脉宽调制
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1050pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.4nC @ 4.5V
供应电流-最大值(Isup)
20mA
漏源电压 (Vdss)
30V
切换器配置
BUCK
开关频率-最大值
1500kHz
场效应管特性
Standard
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
器件厚度
1.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
CSD87335Q3D拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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