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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.257114
10
¥2.129353
100
¥2.008824
500
¥1.895116
1000
¥1.787846
ROHM Semiconductor RSR025N03TL
- 收藏
- 对比
RSR025N03TL
2078-RSR025N03TL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
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MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RSR025N03TL详情
ROHM Semiconductor RSR025N03TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
118MOhm
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
2.5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
165pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.1nC @ 5V
上升时间
10ns
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
栅源电压
2.5 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RSR025N03TL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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